系統(tǒng)配置 | CPU | Huawei EC-Core-L,基于ARM Cortex A9雙核處理器,主頻≥700M |
內存 | 核心板板載512MB DDR3內存 | |
存儲設備 | 存儲 | 1G FLASH(核心板板載) |
I/O接口 | 前置 | 1個千兆RJ45網(wǎng)絡接口, 1個Console調試串口, 4個三線RS485串口, 2個三線RS232串口 2個SIM卡槽, 1個LORA天線SMB接口, 1個4G天線SMB接口, 1個支持熱拔插的USB口 |
后置 | 3個千兆RJ45網(wǎng)絡接口, 1個船型開關, 1個5Pin三相載波HPLC口電源接口 1個外殼接地端子, 1個3Pin電源接口 | |
指示燈 | 前面板指示燈:RUN、ALM、CTL、WAN、PWR、MCU、LTE和電以太網(wǎng)口連接、數(shù)據(jù)燈 后面板指示燈:電以太網(wǎng)口連接、數(shù)據(jù)燈 | |
電源模塊 | 單電源,輸入范圍 AC85V~265V OR DC40~ 370V;頻率 47~ 63Hz | |
機箱尺寸 | 含掛耳尺寸: 266.6mm×224mm×44mm 不含掛耳尺寸: 224mm×225.6mm×44mm | |
凈重 | 4.5Kg(不包含包裝、配件重量) | |
顏色 | 銀白色 | |
溫度 | LTE最大發(fā)射功率情況;-25℃~+65℃ LTE典型發(fā)射功率情況:-25℃~+70℃ 存儲溫度:-40℃~+85℃ | |
濕度 | 5%到95%(非凝結) | |
電磁兼 容性 | GB/T 15153.1- 1998 | 裝置應能承受規(guī)定的嚴酷等級為Ⅲ的干擾試驗,試驗頻率為1MHz,試驗電壓為共模2500V,差模1000V的衰減振 蕩波干擾試驗 |
GB/T 15153.1- 1998 GB/T 17626.x | 裝置能承受GB/T15153.1-1998 標準規(guī)定的Ⅳ級(接觸放電8kV)靜電放電干擾試驗 GB/T 17626.3-2006射頻電磁場輻射抗擾度(III)級 GB/T 17626.4-2006沖脈群抗擾度(IV)級 GB/T 17626.5-2008浪涌(沖擊)抗擾度(IV)級 GB/T 17626.6-2017傳導抗擾度(III)級 GB/T 17626.8-2006工頻磁場擾抗擾度(V)級 GB/T 17626.9-1998脈沖磁場抗擾度(V)級 GB/T 17626.10-2017阻尼振蕩磁場抗擾度(IV)級 GB/T 17626.12-1998 振蕩波抗擾度試驗(III/IV)級 | |
其它干擾 | 裝置通過了符合1000kV工程要求的其它電磁干擾試驗 | |
安規(guī) | GB/T14598.3- 2006(eqv IEC60255-5) | 介質強度:規(guī)定的交流電壓為2.5kV(強電回路)或500V(弱電回路)、頻率為50Hz、歷時1min 的介質強度試驗,而無 擊穿和閃絡現(xiàn)象。 絕緣電阻:用開路電壓為500V的測試儀器測定裝置的絕緣電阻值不小于100MΩ 沖擊電壓:峰值為5kV(強電回路)或1kV(弱電回路)的標準雷電波的沖擊電壓試驗 漏電流:對地漏電流≤3.5mA |
機械環(huán)境適應性 | 抗振動:裝置能承受GB/T 11287(idt IEC60255-21-1)規(guī)定的I級振動響應和振動耐受試驗 抗沖擊:裝置能承受GB/T 14537(idt IEC60255-21-2)規(guī)定的I級沖擊響應和沖擊耐受試驗,以及I級碰撞試驗 熱性能(過載能力):裝置的熱性能(過載能力)符合DL/T478-2001的以下規(guī)定: 電源回路:80%~115%額定電壓,連續(xù)工作。 | |
可靠性 | 平均無故障工作時間:MTBF≥50000h 平均維修時間:MTTR≤0.5h |